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半导体碳化硅(SIC)MOSFET并联均流的详解； - 知乎专栏
11 小时之前 半导体碳化硅 (SIC)MOSFET并联均流的详解；. 近年来，出现了许多新型宽禁带半导体材料，包括SiC、GaN等。. 这些材料对器件的性能有较大的提升，为进一步提
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SiC MOSFET 器件特性知识详解； - 知乎
2023年10月26日 碳化硅 (SiC) 属于宽禁带 (WBG) 半导体材料系列，用于制造分立功率半导体。 如表 1 所示，传统硅 (Si) MOSFET 的带隙能量为 1.12 eV，而 SiC MOSFET 的带
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碳化硅模块（SiC MOS模块）大电流下的驱动器研究,突破大 ...
2024年4月2日 碳化硅模块（SiC MOS模块）大电流下的驱动器研究,突破大电流挑战. 随着电力电子技术的发展，高耐压、高效率、高结温已成为电力电子器件技术的发展趋势。.
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碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 - ROHM
2021年1月7日 在臻驱看来，碳化硅技术应用于主驱电控的主要系统优势，是在于效率的提升，以及峰值输出功率的增加。 前者可以提升续航里程或减少电池安装数量，后者可以给整车带来更大的百公里加速度。 臻驱第
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SiC设计分享系列（四）：SiC MOSFET Desat设计注意事项 ...
碳化硅专区. 富昌电子SiC设计经验系列分享与技术探讨. SiC设计分享系列（四）：SiC MOSFET Desat设计注意事项. 公司：富昌电子（Future Electronics） 作者：萧峰 校稿：
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碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。 近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热
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东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助
2022年1月26日 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后
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碳化硅功率肖特基二极管的特性 如何提供更强大的应用功能
2023年7月25日 峰值电流处理. 碳化硅功率肖特基二极管的峰值正向电流和平均功耗规格限制了正向传导脉冲电流。 当过大的正向电流被施加时,二极管封装中的焊线将扮演保险丝
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我校许并社教授团队在国际高水平期刊《Small》上发表 ...
1 天前 碳化硅（SiC）是近年来国内外重点研究和发展的第三代宽带隙半导体材料，是制备高性能、可应用于恶劣环境下的光电器件的理想材料。 在前期大量研究工作基础上，本
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聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题 - 模拟技术 ...
2023年8月27日 聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题-碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，更高的开关频率，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来效率的替身，系统磁性元器件减小，功率密度的提升等优势。
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半导体碳化硅(SiC) MOSFET的封装、系统性能和应用的详解 ...
2024年2月19日 图34.双脉冲测试电路和波形 调整第一个脉冲的导通时间，以获得所需的峰值漏极-源极电流。电感器很大，关断时间足够短，因此IL1在关断续流期间几乎保持恒定。因此，第二个更短的脉冲以相同的漏极-源极电流幅度施加。
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碳化硅(SiC)半桥功率模块助力大功率医疗电源和工业电源 - 知乎
2024年2月21日 碳化硅器件的优势 随着SiC技术的日趋成熟和商业化应用，其独特的耐高温性能不断加速推动结温从150℃迈向175℃，甚至已出现了200℃的产品。 借助于这种独特的高温特性和低开关损耗优势，可以为未来的高温、高功率密度应用。
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多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！ - 知乎
2022年4月28日 相同电压、电流等级情况下，碳化硅MOS芯片面积比IGBT 芯片要小，设计出的功率模块功率密度更大，更小巧；碳化硅芯片耐更高的温度，理论上远超175℃；高频电源设计能够缩小系统储能器件的体积，例如大电感及大容量电容等 ...
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半导体物理与器件笔记（二十六）——碳化硅混合PiN ...
2024年3月25日 抗浪涌电流冲击能力指的是器件承受大电流脉冲的能力。 当浪涌电流出现时，大电流脉冲流过器件，产生相应的电压降，进而产生较大的发热功率，导致器件的温度在短时间内急剧上升，最终可能使得器件内部某部分材料被烧毁，导致器件失效。
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碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术 - 知乎
2024年3月1日 碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术前言 第7章为共模电流的影响与应对，详细介绍了信号通路共模电流的基本原理和特性以及三种应对措施，包括高CMTI驱动芯片、高共模阻抗和共模电流疏导，此外还介绍了差模干扰测量技术。
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技术分享碳化硅MOSFET驱动电路详解-电子工程专辑
2023年12月20日 碳化硅 MOSFET 通常用于需要在电源的初级侧和次级侧之间进行隔离的高压和大功率应用。. 在这些系统中，能量通过变压器从一侧转移到另一侧，控制器通常放置在一侧，例如次级侧。. 当驱动初级侧的 SiC MOSFET 时，需要使用隔离将驱动信号从次级侧控制器传输到 ...
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应用碳化硅器件对电机驱动系统电磁干扰的影响
2017年10月8日 碳化硅器件造成的EMI要比硅器件严重。 (a) (b) 图5 开通电流的仿真波形(a)和频谱(b) 分别对碳化硅JFET桥臂模块和硅IGBT桥臂 模块进行双脉冲测试，可以得到真实的开通电流波 形如图6(a)所示。直流母线电压350V，测试用的负 载电感是0.5mH。实测的开通
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双脉冲测试 Tektronix
1 天前 双脉冲测试的基础知识. 使用两台设备执行双脉冲测试。. 一台设备是被测设备 (DUT)，另一台设备通常与 DUT 属于同一类型。. 注意“高”侧设备上的感应负载。. 电感器用于复制转换器设计中可能存在的电路条件。. 使用的仪器包括用于提供电压的电源或 SMU，用
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国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用 ...
2024年3月22日 2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET，带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里？为此，电子产品世界等媒体视频采访了英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用市场经理陈清源先生。
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利用 Wolfspeed 碳化硅 MOSFET 建立常见拓扑结构
2020年10月7日 在测试案例中，一个长脉冲之后是 1 μs 的间隙，之后是短脉冲。与基于 Si 的器件一样，导通和关断采用传统测量方法。仔细观察波形（图 2），就会发现实际仿真结果和理想仿真结果之间的差异。仿真中的
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碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。. 器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的第一代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 ...
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碳化硅探测器的最大线性电流研究
摘要. 摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性 ...
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基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术 - 新闻通知 ...
2024年2月5日 为了更加准确地了解碳化硅等离子体器件在脉冲功率领域的潜能，本文在Sentaurus中搭建脉冲源全电路仿真模型，研究了碳化硅DSRD以及DSRD与DAS组合对脉冲的锐化能力，并通过实验对本课题组研制的DAS进行了触发，利用实验支撑了仿真结论的准确性。. 1.器件结构及 ...
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电流脉冲碳化硅_中国矿机基地
电流脉冲碳化硅-摘要采用种电阻率的钒掺杂半绝缘- 晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关，分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电导实验。对比实验结果表明：高暗态电阻率的碳化硅光导开关耐压特性远远优于低暗态电阻率的碳化硅 ...
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一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法与流程 ...
2020年2月28日 具体的,本发明提供了一种双脉冲测试平台的碳化硅mosfet建模方法,结合附图的流程图所示,包括以下步骤：. s1:搭建双脉冲测试平台；. s2:理想状态下碳化硅mosfet开关过程分析，建立理想状态下的状态空间方程。. 在忽略寄生电感和寄生电阻这些寄生参数的情
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电流脉冲碳化硅
电流脉冲碳化硅 技术文库 碳化硅电力电子器件研发进展与存在问题200553084905未知来源供稿1引言借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管功率MOS和绝缘栅双极晶体管IGBT等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。
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SiCer小课堂 TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管 ...
2022年8月30日 对传统的硅基分立器件（硅IGBT和硅MOSFET），通常是用柔性电流探头（罗氏线圈）去测试集电极电流或漏极电流。 但对于开关速度更快的碳化硅MOSFET，在实际测试过程中，由于柔性电流探头测试的电流存在一定的延迟时间，从而导致碳化硅MOSFET的开通关断损耗的测量存在很大的偏差（如图3所示）。
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SiC碳化硅二极管抗浪涌电流能力缺点及应对方式 - CSDN博客
2020年7月30日 SiC碳化硅二极管浪涌电流能力的问题，可以通过外围电路来适当改善，在PFC电路中，当SiC-SBD浪涌电流值不够的时候，需要为这个二极管（和电源侧的电感一起）并联硅二极管，降低浪涌电流，对SiC二极管进行保护，虽然略微增加了器件成本，但是提
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高压碳化硅GTO器件结构与特性研究 - 百度学术
给新一代电力电子器件的发展带来了希望.碳化硅栅极 ... 电路中得到发展.本文基于半导体二维数值分析软件Synopsys Sentaurus TCAD,设计了一款超高压,高脉冲电流的SiC GTO功率器件.首先,研究了SiC材料特性,分析了SiC GTO器件物理性能并 ...
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